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Tel:193378815624 天之前 1)碳化硅切割设备:国内首个高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量,切割效率大大提高,生产成本明显降低,在行业里独家实现批量售卖, 半导体工程师 2024-02-18 09:57 北京. 碳化硅(SiC)具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点,主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。. 以新能源汽车为例,当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新 多达数十家,SiC关键设备企业图谱 - 知乎
查看更多2023年7月14日 据《2022碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外,华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD等关键设备方面也实现了批量供货;盛美上海宣布首次获 2023年10月27日 生产碳化硅器件主要包括衬底、外延、器件制造(设计、制造、封测)三大环节。 按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件: (1)导电型碳化硅功率器件. 功率器件又被称为电力电子 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产
查看更多2023年4月19日 早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口,48所通过自主研发,研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉,经过用户上线使用验证,设备的技术指标均达到行业应用的主流水平,有力支撑了国产碳化硅 2024年3月12日 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科技股份有限公司. 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案. UKING. 了解详情 联系我们. ABOUT U KING. 苏州优晶半导体科技 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科
查看更多6月27日,晶盛机电宣布,已成功研发出8英寸碳化硅外延设备。在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上,已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试,外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内。2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种,下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状,和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做?
查看更多2021年7月21日 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求,大力发展碳化硅产业,可引领带动原材料与设备 两个千亿级产业,助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要 ...2023年11月12日 实际上,国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大,主要还在设备的精度和稳定性上,这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响,目前国内企业相比国外还有差距,因此碳化硅切磨抛装备仍以进口为主,导致国内厂 2025市场达200亿,碳化硅关键设备企业迎历史机遇
查看更多2022年3月2日 2020 年 8 月 17,公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工,总投资约 9.5 亿元 人民币,总建筑面积 5.5 万平方米,将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,计划于 2023年7月14日 碳化硅晶圆制造设备:除了SiC衬底外,晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在,未来国产SiC 芯片扩产也会受到关键设备的牵制。由于SiC材料硬度高、熔点高等特性,需要一些特殊的生产设备与工艺——包括高温退火炉、高温离子 ...碳化硅“狂飙”:追赶、内卷、替代Focus - 腾讯网
查看更多2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备 厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致,但部分工艺段使用专用设备,部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理,目前长晶设备已基本实现 ...2023年10月27日 国泰君安-碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化 国金证券-半导体行业年度报告(深度):看好需求复苏+创新成长+国产替代方向 中泰证券-汽车半导体行业系列报告:电动化智能化双轮驱动,车载半导体拾级而上碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
查看更多2023年7月8日 聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言:当前碳化硅市场呈现欧美日三足鼎立的局面,面对下游需求持续增长、碳化硅产品供不应求的形式,国内外厂商均在加速研发、扩产,进军8英寸碳化硅。作者 方文三图片来源 网 络 8英寸是国产设备商的机遇期今年来,国际功率半导体 ...2023年11月30日 综合来看,国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力,大部分设备类型都已有国产替代方案,在碳化硅产业爆发的情况下,未来碳化硅设备市场也将不断增大,预计此轮利好将持续2-3年,在此期间碳化硅设备需求将持续增长,将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇2025市场达200亿,碳化硅关键设备企业迎历史机遇
查看更多2023年10月20日 碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与外延环节的材料+ 设备国产化机遇【勘误版】 eastmoney 东吴证券 周尔双,刘晓旭,李文意 查看PDF原文 领 涨 个 股 名称 相关 涨跌幅 资 金 流 入 名称 ...2024年7月19日 据观察,碳化硅设备厂商普遍业绩报喜,叠加今年下半年的持续签单与交货,各大碳化硅设备厂商有望继续保持业绩增长。03 扩产潮、8英寸转型,碳化硅设备厂商前景光明 碳化硅设备厂商产销两旺,与碳化硅产业高速发展密切相关。碳化硅设备厂商正在闷声发大财 - 电子工程专辑 EE Times China
查看更多2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例,整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。2 天之前 2023 年连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线。新设全资子公司连科半导体与清华大学合作,发展半导体相关业务,规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8 国内碳化硅(SiC)长晶炉供应商10强 - 艾邦半导体网
查看更多2023年7月14日 面,公司8英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。 3)半导体零部件:上游延伸零部件业务,平台化布局空间打开。公司向上游延伸坩锅、金刚 线、阀门、管接头、磁流体等半导体 2023年4月25日 推荐标的:实现高线速碳化硅金刚线切片机批量销售,已推出8寸碳化硅金刚线切片机并持续推进设备国产替代的高测股份。 推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片机GC-SCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量,同时大幅提升切割效率,显著降低生产成本,行业内独家实现批量销售,实现国产替代。国泰君安-碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底 ...
查看更多2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商,来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会,并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。2023年9月27日 作者:慧博智能投研碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来,随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显,如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
查看更多2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化。碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势,晶体生长和切割是产业化瓶颈。优势:1)高性能:碳化硅相比硅有四大优势:大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场,做成的器件对应有四高性能:高功率、高频率、高温和 ...2024年7月1日 纳设智能碳化硅外延设备采用水平热壁的技术路线实现单片式外延生长,兼容8英寸、6英寸外延片,温场流场等结构稳定,耗材成本、维护频次更低,设备工艺指标优异,厚度均匀性、浓度均匀性、缺陷密度等均达到行业先进水平。深圳市纳设智能装备股份有限公司-智能设备-碳化硅外延设备
查看更多2024年8月14日 此外,碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能。 ... 中国在太阳能和风能领域也取得了显著进展,碳化硅作为关键材料在太阳能电池和风力发电设备中得到广泛应用。2024年6月22日 近日,“行家说三代半”在进行产业调研时发现,国内又有1家企业成功获得了8英寸碳化硅设备订单。据悉,华卓精科发布了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备,已经顺利通过中国台湾某客户验证,已开展交付,这也代表国产8英寸碳化硅关键设备工艺成功实现自主化,深入迈进高端设备制造领域 ...华卓精科交付国内首台8吋SiC激光退火设备-第三代半导体风向
查看更多2021年1月15日 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备 制造商,为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品,满足其防腐蚀要求。同时该公司还是碳化硅换热器国家行 2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
查看更多2023年11月29日 项目总投资100亿元,占地面积88亩,主要建设第三代功率半导体(碳化硅)的设备 制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设,一期预计投资 21 亿元,建成达产后,可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 ...2024年8月28日 弘元绿能 在碳化硅领域已有WSK068S碳化硅切片机设备和WSK070 碳化硅边缘倒角机设备,两款设备均已有相关订单。而在近日,弘元绿能还公开“一种碳化硅半导体切片机床及其制备方法”、“一种碳化硅半导体切片机床用固定夹具及方法”等多项 ...碳化硅争夺战:光伏龙头们已入局! - 电子工程专辑 EE ...
查看更多6 小时之前 证券时报记者张淑贤走进晶升股份展厅,几台形状不一的设备映入眼帘,或酷似黑色柜子,或形似圆柱体,这均是不同类型的碳化硅晶体生长设备 ...2019年7月25日 由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗,因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。 1、半导体照明领域 采用碳化硅作为衬底的LED期间亮度更高、能耗更低寿命更长、单位芯片面积更小,在大功率LED方面具有非常大的优势。三了解第三代半导体材料:碳化硅(SiC) - 知乎
查看更多2023年7月17日 碳化硅外延设备:主要用于在碳化硅衬底上生长碳化硅外延层。碳化硅外延生长方法 包括化学气相沉积(CVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、蒸发生长法、磁 控溅射及脉冲激光沉积(PLD)等。Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统,设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测,可显著降低由外延缺陷导致的良率损失,最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差,并增加MOCVD反应器的正常运行 ...Candela 8520 - 光致发光和表面检测系统 - KLA
查看更多2021年7月21日 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求,大力发展碳化硅产业,可引领带动原材料与设备两个千亿级产业,助力我国加快向高端 ...
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